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- 英飛凌宣布，其碳化硅功率半導體器件被豐田新款純電動車型 bZ4X 選用，旗下 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 將應用于該車的車載充電器（OBC）與直流 - 直流轉換器（DC/DC）中。對于歐洲電子工程新聞網的讀者而言，這一消息清晰體現出碳化硅的應用正加速突破牽引逆變器領域，延伸至汽車核心的功率轉換模塊；同時也凸顯出車企正愈發廣泛地采用寬禁帶半導體器件，以實現電動汽車快充提速、續航提升等可量化的性能優化。碳化硅深度融入豐田電動汽車功率電子系統據官方消息，豐田此次為 bZ4X 的車載充電器和直流 - 直
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英飛凌 CoolSiC 碳化硅 MOSFET 豐田 bZ4X
- 在電動汽車、光伏儲能、AI數據中心等領域迎來功率需求爆發式增長的當下，熱管理已成為制約電源產品功率密度與效率提升的核心瓶頸。傳統封裝方案往往在散熱性能與開關特性之間難以兼顧，行業迫切需要兼具創新結構與卓越性能的解決方案。基于這樣的新應用需求，安森美（ONSemi）推出采用T2PAK 頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，將業界領先的碳化硅技術與突破性封裝設計深度融合，為汽車和工業高功率應用帶來性能與散熱的雙重飛躍，也折射出寬禁帶半導體行業的發展新方向。1? ?行業趨勢驅動：高功
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202601 MOSFET 安森美 熱管理
- 碳化硅功率半導體在光伏、充電、電動汽車等行業得到了廣泛應用，其潛力毋庸置疑。然而，從當前高功率碳化硅MOSFET來看，仍存在一個難題：即如何實現平衡性能、魯棒性、可靠性和易用性的設計。比導通電阻是衡量SiC MOSFET技術先進性的關鍵參數，但其它標準，例如可靠性，也是制約器件表現的重要因素。對于不同的應用，導通電阻與可靠性之間的折衷也略有差異。因此，合理的器件定義應當保證設計靈活性，以滿足不同的任務需求，無需大量設計工作和設計布局變化。英飛凌CoolSiC?故障率比IGBT更低談到可靠性，人們往往會認為
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英飛凌 MOSFET 柵極氧化層
- 在碳化硅（SiC）技術的應用中，許多工程師對SiC的性能評價存在誤解，尤其是關于“單位面積導通電阻（Rsp）”和“高溫漂移”的問題。作為“碳化硅何以英飛凌”的系列文章，本文將繼續為您揭開這些誤區的真相（誤區一見：碳化硅何以英飛凌？—— 溝槽柵技術可靠性真相），并介紹英飛凌如何通過技術創新應對這些挑戰。常見誤區2：“SiC的性能主要看單位面積導通電阻Rsp，電阻越小，產品越好。與平面柵相比，溝槽柵SiC的電阻在高溫下漂移更大，這是否會影響可靠性”01多元化的性能評價更全面Rsp并非唯一評價標準雖然Rsp越小
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英飛凌 碳化硅 MOSFET
- 據報道，英特爾與UMC正在探索更深層次的合作，以支持與人工智能相關的應用。據《經濟日報》報道，消息人士稱英特爾計劃將其專有的“超級MIM”電容技術授權給UMC，該技術用于英特爾下一代埃級工藝，被視為先進封裝的關鍵技術。報告引用的消息人士稱，英特爾可能會將其Super MIM電容技術引入與UMC合作的12納米/14納米工藝平臺，并將該技術推廣到先進的封裝相關應用。針對市場猜測，UMC表示目前與英特爾的合作仍聚焦于12納米平臺，但報告補充說，公司并未排除未來擴大合作范圍，涵蓋更廣泛的技術。正如報告指出的，如果
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英特爾 Super MIM UMC 人工智能 先進封裝
- 正當整個行業陷入零部件短缺危機之際，英偉達剛剛在 X 平臺宣布，其 2026 年國際消費電子展（CES）主題演講將 “不會推出新款顯卡”，這給攢新機的用戶僅剩的一絲期待潑了一盆冷水。此舉打破了該公司連續五年在 CES 展會上發布新款顯卡的慣例 —— 無論是臺式機顯卡還是移動版顯卡；而本次展會，英偉達將完全不會推出任何新硬件。這場主題演講的大部分內容，預計將聚焦于人工智能技術的進展。自 2021 年起，這家被業內稱為 “綠廠” 的企業每年都會在 CES 展上帶來新款芯片產品。就在上一屆展會，RTX 50 系
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英偉達 GPU CES 2026 RTX 50 Super
- Onsemi與FORVIA HELLA延續了長期的戰略合作，正式簽署了一項專注于下一代汽車動力MOSFET技術的新長期協議。該交易重點在于將Onsemi的PowerTrench T10 MOSFET應用于FORVIA HELLA的先進汽車平臺，反映出高效且可擴展的電力設備在車輛電氣化中日益重要。這一公告具有相關意義，因為它強調了一級供應商和半導體廠商如何將功率半導體路線圖與新興汽車架構（包括分區設計和軟件定義車輛）對齊。它還為設備層面的漸進式改進如何影響未來車輛平臺的系統效率和成本目標提供了見解。Powe
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Onsemi FORVIA HELLA 汽車電子 MOSFET
- 簡介CoolSiC MOSFET G2 溝槽式 MOSFET 發揮碳化硅的性能優勢，通過降低能量損耗來提高功率轉換過程中的效率。將 SiC 性能提升到一個新水平，同時滿足所有常見電源方案組合的最高質量標準： AC-DC、DC-DC 和 DC-AC。與 Si 替代品相比，SiC MOSFET 可以在許多應用中提供額外的性能，其中包括光伏逆變器、熱量存儲系統、電動汽車充電、電源、電機驅動、牽引逆變器、板載充電器、DC 對 DC 轉換器等。碳化硅器件必備要素 —— 立足當下布局，引領未來市場豐富的 CoolSi
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英飛凌 CoolSiC MOSFET 650V G2 功率轉換
- 簡介英飛凌OptiMOS? 6 80 V——最新的功率MOSFET技術，通過廣泛的產品組合設定了新的行業基準性能，包括PQFN 3.3x3.3，SuperSO8、雙面散熱PQFN 5x6 以及源極向下 PQFN 3.3x3.3封裝。 OptiMOS? 6 80 V 系列非常適合電信、服務器和太陽能等高頻開關應用。OptiMOS? 6 80 V 的性能改進也體現了其在電池管理系統 (BMS) 中的優勢。關鍵特性l??與 SSO8 中的 5 相比，RDS(on) OptiMOS?減少24%
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英飛凌 OptiMOS 6 MOSFET 電信 電池管理系統
- 全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）近日宣布，適用于主驅逆變器控制電路、電動泵、LED前照燈等應用的車載低耐壓（40V/60V）MOSFET產品陣容中，又新增HPLF5060（4.9mm×6.0mm）封裝產品。新封裝產品與車載低耐壓MOSFET中常見的TO-252（6.6mm×10.0mm）等封裝產品相比，體積可以更小，通過采用鷗翼型引腳*1，還提高了其在電路板上安裝時的可靠性。另外，通過采用銅夾片鍵合*2技術，還能支持大電流。采用本封裝的產品已于2025年11月起陸續投入量產（樣品單價50
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ROHM MOSFET
- Boost電源電路是一種DC-DC升壓電路，能夠將低電壓升高到較高電壓。其基本原理是利用電感儲能和電容儲能的方式，通過開關管的開關控制，將輸入電壓進行短時間內的變化，從而使輸出電壓得到升壓。通過調整開關管的開關頻率和占空比，可以控制輸出電壓的大小和穩定性。開關電源的主要部件包括：輸入源、開關管、儲能電感、控制電路、二極管、負載和輸出電容。如果功率不是特別大，IC廠家會將開關管、控制電路、二極管集成到一顆電源管理芯片中，極大簡化了外部電路。按照是否集成MOSFET，可以將電源IC分類為轉換器、控制器。從集成
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Boost電路 工作過程 MOSFET 電源芯片
- 除了明年升級Super Cruise駕駛系統外，該汽車制造商表示將在2028年前采用新的集中式車輛計算平臺。簡要摘要：通用汽車公司計劃在未來幾年內推出“無視駕駛”，并通過谷歌雙子座的整合，將對話式人工智能帶入其車輛，通用汽車制造商周三在紐約舉辦的“GM Forward”媒體活動上宣布。該車廠計劃在2028年推出更先進的Super Cruise免提駕駛系統。升級后的系統將首次應用于凱迪拉克Escalade IQ電動SUV。為了支持生成式人工智能和未來車輛更高級的自動駕駛，通用汽車還將從2028年開始采用新的
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通用汽車 自動駕駛 無視駕駛 Super Cruise
- 這些新技術預計將在2020年代后半期應用于北美市場銷售的車輛中。本田未來中型混合動力車平臺的車身結構。它采用了全新的模塊化架構，使得各型號的零件通用性更加高。 本田汽車公司提供簡要摘要：本田汽車株式會社于10月29日在日本舉辦的“本田汽車技術研討會”媒體活動上，發布了其下一代混合動力電動（HEV）車輛技術。發布的消息包括為本田未來混合動力車型推出的新中型平臺;一款適用于全尺寸混合動力車的新V6發動機;以及“Super-ONE”原型緊湊型電動車量產車型的技術，該車型于2025年日本出行展亮相。隨著其他汽車制
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本田 HEV平臺 V6 混動發動機 Super-ONE
- Melexis正在制造全硅RC緩沖器，用于集成在碳化硅動力模塊中。目前正在向潛在客戶采樣，所有零件將是新零件編號“MLX91299”的變體，并以裸芯片形式交付，準備與電源模塊內的MOSFET和二極管芯片進行頂部線連接。反金屬化兼容燒結和焊接。該硅吸收器設計用于直流鏈路，最高可達1000伏直流，峰值可達1200伏，擊穿額定值將超過1500伏。據公司介紹，它們“在電壓超過150伏時保持恒定電容，并在10nA附近表現出泄漏電流”。“有多種R和C組合，比如4.3nF在1.45Ω或1.1nF在5.23Ω。”具體生產
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全硅 RC 緩沖器 碳化硅 MOSFET 電壓瞬變抑制
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